DKDP晶体长籽晶快速生长技术获进展将用于高功率激光装置_和记平台

日前，中科院上海光机所发文称之为，该所于近期出有槽一块尺寸为470mm×495mm×560mm（宽×长×柱面低）宽籽晶较慢生长的大口径DKDP晶体，这是国际上首次取得的大口径宽籽晶DKDP晶体，标志着宽籽晶较慢生长DKDP晶体技术获得顺利检验。涉及晶体制取技术早已申请人了专利（公开发表号：CN109943881A，CN110055579A）。研究团队使用宽籽晶点晶技术（籽晶长度320mm），在自律研发的1300型倒数过滤器晶体生长槽中经过三个多月生长顺利出有槽。可行性测试结果表明，晶体毛坯内部透明度好，可以符合无锥柱交界面的大口径二类混频元件切割成拒绝。

宽籽晶较慢生长技术是上海光机所在第一代DKDP晶体较慢生长技术（双锥生长技术）基础上的又一突破。它耦合了传统生长技术与较慢生长技术的优点，具备传统生长技术无锥柱交界面、较慢生长技术生长周期短的优点，又兼备切片效率高的特点，为国际高功率激光装置建设所需DKDP晶体生长获取了新的方案。

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